سامسونگ توسعه حافظه DRAM GDDR7 خود را تکمیل کرده است. پهنای باند 1.5 ترابایت

سامسونگ به اولین شرکتی تبدیل شد که توسعه تراشه حافظه GDDR7 DRAM خود را برای محصولاتی مثل GPUها کامل می‌کند.

سامسونگ تقریباً حدود 8 ماه پس از اعلام آغاز توسعه تراشه‌های حافظه GDDR7 DRAM اعلام کرد که این فرایند را به پایان رسانده است. بر همین اساس، این غول فناوری کره‌ای اولین شرکتی است که این نسل از حافظه‌ها را با پهنای باند 1.5 ترابیتی در اختیار محصولات مختلفی ازجمله پردازشگرهای گرافیکی قرار می‌دهد.

سامسونگ امروز اعلام کرد که توسعه حافظه‌های GDDR7 DRAM را که برای بازار خودروها، کنسول‌های گیمینگ، پی‌سی‌ها، سرورها و ورک‌استیشن‌ها طراحی شده، تکمیل کرده است. پهنای باند این تراشه‌ها نسبت به نسل قبل 40 درصد بیشتر شده و به 1.5 ترابیت بر ثانیه رسیده است.

حافظه GDDR7 DRAM با استفاده از بهبودهایی که در روش ارسال سیگنال PAM3 اعمال کرده، سرعت انتقال داده را به ازای هر پین به 32 گیگابیت بر ثانیه رسانده است. PAM3 حالا اجازه می‌دهد در هر چرخه ارسال سیگنال حدود 50 درصد داده بیشتری فرستاده شود.

تراشه حافظه سامسونگ GDDR7 DRAM بهینه‌تر شده است

این تراشه‌های جدید حدود 20 درصد بهینه‌تر از تراشه‌های GDDR6 DRAM هستند. سامسونگ همچنین امکانی برای استفاده از ولتاژ پایین‌تر را در این تراشه‌ها ارائه می‌کند که می‌تواند به کار لپ‌تاپ‌ها و سایر دستگاه‌های این چنینی بیاید.

در تصویر بالا می‌توان دید که دای (die) حافظه GDDR7 از فرم فکتور 266 پین BGA استفاده می‌کند، در حالی که نسل قبلی از 180 پین بهره می‌برد. بدین ترتیب، محصولات نسل بعدی باید تغییرات بزرگی را در زمینه PCB ایجاد کنند تا بتوانند از این افزایش 50 درصدی پین‌ها پشتیبانی نمایند.

غول فناوری کره جنوبی برای کاهش تولید حرارت در بسته‌بندی این تراشه از ماده جدید EMC استفاده کرده و معماری IC خود را بهینه‌سازی نموده است. تمام این بهبودها باعث شده تا تراشه حافظه جدید سامسونگ تا 70 درصد مقاومت گرمایی کمتری داشته باشد، و به همین خاطر عملکرد بهتر و پایدارتری را در زمینه اجرای عملیات‌های پرفشار از خود نشان دهد.

مهم‌ترین مشتریان سامسونگ در دنباله سال 2023 آزمایش تراشه‌های حافظه GDDR7 DRAM را آغاز می‌کنند. پیش‌بینی می‌شود که از این تراشه‌ها در پردازشگرهای گرافیکی سری RTX 50 انویدیا استفاده شود.