محققان موسسه پیشرفته فناوری سامسونگ (SAIT) در همکاری با موسسه ملی علم و تکنولوژی اولسان (UNIST) و دانشگاه هاروارد، از کشف ماده جدیدی به نام Amorphous Boron Nitride خبر دادند. این ماده می‌تواند به روند توسعه نسل بعد نیمه رساناها سرعت ببخشد.
Amorphous Boron Nitride یا (a-BN) شامل اتم‌های بور و نیتروژن شده و ساختار مولکولی آمورف دارد. سامسونگ می‌گوید با اینکه a-BN از گرافین سفید (شامل اتم‌های بور و نیتروژن با ساختار شش ضلعی) مشتق شده، ولی ساختار مولکولی منحصر به فرد سبب تمایز آن از گرافین سفید شده است.
Amorphous Boron Nitride از بهترین و پایین ترین گذردهی نسبی (۱.۷۸) با خصوصیات الکتریکی و مکانیکی قوی برخوردار بوده و می‌توان از آن به عنوان ماده واسط برای به حداقل رساندن تداخل الکتریکی استفاده نمود.
این ماده همچنین قابلیت رشد روی برش نازک از یک نیمه رسانا در دمای پایین (کمتر از ۴۰۰ درجه سانتی گراد) را دارد. بنابراین انتظار می‌رود از آن به طور گسترده در صنعت نیمه رسانا برای تولید قطعاتی مثل DRAM, NAND و نسل بعد حافظه سرورهای مقیاس بزرگ استفاده شود.
محققان سامسونگ همچنین در حال تحقیق و توسعه مواد دو بعدی (مواد کریستالی متشکل از یک لایه اتم) و همچنین گرافین بوده و به دستاوردهای شگرفی در این زمینه دست یافته‌اند و قصد دارند یافته‌های خود را وارد فاز تجاری کنند.
در آیدت،
فایل‌های
خود را به فروش بگذارید و یا
مقالات‌تان
را منتشر کنید👋
پاسخ ها