سامسونگ در پی تولید حافظه ۱۶۰ لایه NAND است

گزارش‌های جدید از تمایل سامسونگ به تولید حافظه‌ی ۱۶۰ لایه‌ی NAND خبر می‌دهند. این نخستین‌بار است که شرکتی چنین حافظه‌ای تولید می‌کند.

سامسونگ با داشتن ۳۶ درصد از سهم بازار جهانی حافظه‌های فلش NAND وارد سال ۲۰۲۰ شد و قصد دارد با انجام کارهایی جدید، سهمش را به‌مرور بیشتر کند. به‌علاوه، این شرکت کره‌ای حاضر نیست جایگاه فعلی خود را به رقبا واگذار کند و می‌خواهد با بهره‌گیری از دانش متخصصانش به نخستین شرکت دنیا تبدیل شوند که حافظه‌ی ۱۶۰ لایه‌ی NAND تولید می‌کند. بر‌این‌اساس، گفته می‌شود سامسونگ قصد دارد این نوع از حافظه‌ها را ازطریق خطوط تولید خود در چین بسازد.

اوایل ماه جاری میلادی، یکی از شرکت‌های چینی تیتر نخست رسانه‌های سخت‌افزارمحور را ازآنِ خود کرد. در آن زمان، اعلام شد بزرگ‌ترین شرکت فعال در حوزه‌ی تولید تراشه در چین، یعنی YMTC، موفق شده است تراشه‌ی ۱۲۸ لایه‌ی QLC NAND بسازد؛ حافظه‌ای که ادعا شد درمقایسه‌با نسل ششم حافظه‌های سامسونگ، یعنی حافظه‌ی ۱۳۶ لایه‌ی V-NAND، عملکرد بهتری در‌زمینه‌ی ظرفیت و سرعت و حتی مصرف انرژی دارد. تا پیش‌از‌این، YMTC موفق‌ شده بود حافظه‌ای با حداکثر ۶۴ لایه تولید کند.

SK Hynix شرکت دیگری است که روی مرحله‌ی اولیه‌ی ساخت حافظه‌ی ۱۲۸ لایه‌ی TLC NAND کار می‌کند و قصد دارد در آینده از آن در درایو SSD شخصی و سازمانیِ دارای ظرفیت بین ۲۵۰ گیگابایت تا ۱۶ ترابایت بهره ببرد. گفته می‌شود این درایوهای SSD از دو نوع بلید (Blade) و ۲/۵ اینچ خواهد بود. وسترن دیجیتال و Kioxia دو شرکت دیگری به‌شمار می‌آیند که گفته می‌شود در پی عرضه‌ی حافظه‌ی ۱۱۲ لایه‌ی سه‌بعدی NAND در سه‌ماهه‌ی چهارم سال جاری میلادی هستند. اگر همه‌چیز طبق برنامه پیش برود، احتمال دارد شرکت Micron بتواند نسل چهارم حافظه‌های خود، یعنی حافظه‌های ۱۲۸ لایه‌ی NAND را پیش از فرارسیدن سه‌ماهه‌ی چهارم امسال در حافظه‌های SSD قرار دهد و به‌دست مشتریان برساند.

به‌نظر می‌رسد سامسونگ نیز قصد دارد خودش را در این حوزه محک بزند. گفته می‌شود این شرکت اخیرا به روند توسعه‌ی نسل هفتم حافظه‌های خود، حافظه‌های ۱۶۰ لایه‌ی V-NAND، سرعت بخشیده است تا بتواند آن‌ها را هم‌زمان با حافظه‌های ۱۲۸ لایه‌ی QLC NAND شرکت YMTC روانه‌ی بازار کند. YMTC قصد دارد تا پایان سال ۲۰۲۰، حافظه‌های ۱۲۹ لایه‌ی QLC NAND را به مرحله‌ی تولید انبوه برساند.

تراشه‌ی NAND جدید سامسونگ برپایه‌ی فناوری پیشرفته‌ی این شرکت، Double Stack، ساخته خواهد شد تا ازطریق آن بتواند درمقایسه‌با تراشه‌های ۹۶ لایه که امروزه به‌وفور در بازار یافت می‌شود،‌ در هر بسته ۶۷ درصد تراکم بیشتری از قطعات را قرار دهد. استفاده از این رویکرد باعث خواهد شد حافظه‌های جدید سامسونگ مصرف انرژی کمتری از حافظه‌های ۹۶ لایه‌ی معمولی داشته باشند و قیمت آن‌ها نیز به‌ازای هر گیگابایت کاهش پیدا کند. با‌این‌حال، احتمال دارد مشکلاتی درزمینه‌ی سرعت نوشتن حافظه ایجاد شود؛ مشکلاتی که درصورت ایجادشدن می‌تواند ارزش حافظه را برای کارهای سازمانی کاهش دهد.

برای بازار حافظه‌های سازمانی،‌ 3D XPoint اینتل و Z-NAND سامسونگ بهترین انتخاب به‌شمار می‌آید؛ زیرا این حافظه‌ها تأخیر کمی دارد و سرعت نوشتن آن‌ها نیز سریع است. گفته می‌شود اینتل به‌دنبال استفاده از حافظه‌ی فلش ۱۴۴ لایه‌ی QLC در درایوهای بعدی آپتین (Optane) است. درمقابل، شرکت‌های Kioxia و وسترن‌دیجیتال را داریم که قصد دارند مدل جدید حافظه‌های خود را با نام XL-FLASH معرفی کنند. این حافظه‌ بدون شک رقابت را داغ‌تر از قبل خواهد کرد تا درنهایت، افت قیمت بیشتر این حافظه‌ها و حضور آن‌ها در درایوهای معمولی برای کاربران را شاهد باشیم. 

براساس آمار، سامسونگ توانسته است در سال ۲۰۱۹ ازطریق فروش حافظه‌های فلش NAND درآمدی معادل ۱۶/۵ میلیارد دلار کسب کند. این شرکت ظاهرا بیش از هشت‌میلیارد دلار برای ارتقای خطوط تولید کارخانه‌هایش در چین صرف کرده است تا به فناوری‌های جدید درزمینه‌ی تولید حافظه‌های پیشرفته‌تر مجهز شود. سامسونگ چند هفته پیش در نامه‌ای رسمی از دولت چین درخواست کرد اجازه دهد ۲۰۰ تن از مهندسانش به کارخانه‌ای واقع در شهر شی‌آن سفر کنند. مهندسان سامسونگ قصد دارند در این سفر روی فرایند تولید حافظه‌های جدید NAND نظارت کنند. اگر اختلالی در برنامه‌های سامسونگ ایجاد نشود، کارخانه‌ی این شرکت در شهر شی‌آن خواهد توانست ماهانه ۱۳۰ هزار واحد تراشه تولید کند.

دیدگاه شما کاربران دیجیتال درباره‌ی تصمیم جدید سامسونگ چیست؟