اینتل پس از پردازنده DG1 روش تولید ۱۰ نانومتری را کنار می گذارد

اینتل در پردازنده‌های گرافیکی نسل بعد Xe دیگر از فرایند تولید ۱۰ نانومتری استفاده نمی‌کند و فرایندهای ۶ و سه نانومتری TSMC را به‌کار می‌گیرد.

یک رسانه‌ی تایوانی ادعا می‌کند که اینتل پس از عرضه‌ی پردازنده‌های DG1 دیگر از فرایند تولید اختصاصی ۱۰ نانومتری خود استفاده نخواهد کرد. در ادامه‌ی گزارش گفته می‌شود که غول دنیای پردازنده، برای نسل بعدی محصلات خود روش‌های تولید شرکت TSMC را در نظر دارد. تغییر روش احتمالا در سال ۲۰۲۱ رخ می‌دهد و فرایندهای ۶ نانومتری شرکت تایوانی برای شروع کار انتخاب شده‌اند. استفاده از روش‌های تولید TSMC برای ساخت پردازنده‌های گرافیکی، قبلا هم به دفعات در اخبار مطرح شده بود. در اخبار جدید هم هیچ‌گونه تأیید یا تکذیب رسمی ازسوی شرکت‌ها دیده نمی‌شود. درنتیجه نمی‌توان چندان به ادعای کنونی رسانه‌ی تایوانی هم وقعی نهاد.

اینتل نسل اول پردازنده‌های گرافیکی خود را با DG1 به بازار عرضه می‌کند. این محصول، یک کارت گرافیک اختصاصی خواهد بود که با فرایند ۱۰ نانومتری تیم آبی ساخته می‌شود. DG1 با توان مصرفی ۲۵ وات و بهره‌وری و کارایی بالاتر از انویدیا MX 250، یک کارت با ساختار TGL iGPU و فرم فاکتور کارت گرافیک مستقل محسوب می‌شود. محصول جدید اینتل از ۹۶ واحد EU بهره می‌برد. به بیان دیگر شرکت تصمیم دارد تا با این کارت گرافیک، ورودی آزمایشی به بازار داشته باشد و پیش از حرکت به‌سمت محصولات حرفه‌ای‌تر همچون Xe HP، بازار را بررسی کند. مدیر مالی اینتل قبلا گفته بود که فناوری تولید ۱۰ نانومتری، بازدهی مورد انتظار مناسبی ندارد و سودآوری کمتری نسبت به نسل قبلی ۲۲ نانومتری به‌همراه دارد. درنتیجه نمی‌توان تصور کرد که اینتل، فناوری‌های تولیدی جدید (کوچک‌تر از هفت نانومتر) را در تولید انبوه کارت‌های گرافیک مرسوم به‌کار بگیرد.

همان‌طور که گفته شد، رسانه‌ی تایوانی ادعا می‌کند که اینتل فرایند تولیدی اختصاصی خود را کنار می‌گذارد تا از روش‌های تولید TSMC بهره ببرد. روش‌های ۶ و سه نانومتری در این خبر پیش‌بینی می‌شوند و سال ۲۰۲۲ به‌عنوان زمان شروع استفاده از روش سه نانومتری ذکر می‌شود. در ادامه‌ی خبر به صحبت جورج دیویس، مدیر مالی اینتل اشاره می‌شود که گفته بود فناوری ۱۴ نانومتری، ظرفیت کافی را ندارد. البته فناوری ۱۰ نانومتری نیز برخلاف ۲۲ نانومتری، در تولید انبوه به‌کار گرفته نخواهد شد.

دلیل انتخاب TSMC برای ساخت پردازنده‌ها و تراشه‌های گرافیکی آزمایشی اینتل تا سال ۲۰۲۱، تخصص این شرکت در ساخت پردازنده‌های گرافیکی است. همچنین رسانه‌ی تایوانی، آسان‌تر بودن ساخت پردازنده‌های گرافیکی را به‌عنوان یک دلیل عنوان می‌کند.

رسانه‌ی تایوانی در ادامه‌ی خبر خود جزئیاتی از مشخصات پردازنده‌ی گرافیکی DG1 مبتنی بر Xe را هم ارائه می‌کند. این پردازنده که بر مبنای روش تولید ۱۰ نانومتری اینتل ساخته می‌شود، مجهز به ۹۶ واحد اجرایی (EU) و ۷۶۸ هسته‌ی پردازشی خواهد بود. فرکانس پایه‌ی آن یک گیگاهرتز و فرکانس تقویت‌شده، ۱/۵ گیگاهرتز بیان می‌شود. حافظه‌ی ثانویه‌ی بافر یک مگابایتی و سه گیگابایت حافظه‌ی گرافیکی و ۲۵ وات توان مصرفی، از دیگر مشخصات محصول آتی اینتل هستند. کارت گرافیک DG1 مبتنی بر معماری Xe از لحاظ قدرت و کارایی بین کارت گرافیک‌های GeForce GTX 1050 و GeForce GTX 1650 قرار می‌گیرد.

مشخصات منتشرشده نشان می‌دهد که DG1 در دسته‌ی پرچم‌دار جای نمی‌گیرد. البته قطعا در آینده شاهد عرضه‌ی نسل بعدی، DG2 خواهیم بود که احتمالا در دسته‌ی حرفه‌ای تولید می‌شود. شایعه‌های قبلی، فناوری تولید هفت نانومتری TSMC را برای DG2 ادعا می‌کردند، اما ظاهرا می‌توان انتظار به‌کارگیری فناوری ۶ نانومتری را برای آن داشت. به‌هرحال پیش‌بینی می‌شود که اینتل در سال ۲۰۲۱‍ از فناوری هفت نانومتری برای تولید محصولات استفده کند. پیش از این مقام‌های شرکت تأیید کرده بودند که کارت Ponte Vecchio اینتل مخصوص دیتاسنترها از فناوری هفت نانومتری بهره می‌برد.

استفاده از روش‌های تولیدی TSMC را می‌توان انتخابی معقول و منطقی برای اینتل در نظر گرفت. درحال‌حاضر تقاضا برای پردازنده‌های گرافیکی بسیار بالا است و اینتل با فناوری ۱۰ نانومتری توانایی پاسخ به نیاز بازار را ندارد. درنهایت باتوجه به تأیید شدن همکاری با شرکت تایوانی برای ساخت پردازنده‌ی مخصوص دیتاسنتر، ادامه‌ی همکاری‌ها و تولید انبوه دیگر تراشه‌ها دور از انتظار نخواهد بود.